Транзистор с р-n-затвором

Понедельник, Август 18th, 2008

Устройство транзистора с р-n-затвором показано на рисунке.
 
 

 
На подложке из р-кремния создается тонкий слой полупро­водника и-типа, выполняющий функции канала, т. е. токопроводящей области, сопротивление которой регулируется электрическим полем. Канал изолирован р-n-переходами как от подложки, так и от на­ходящегося над ним затвора — электрода, под которым создается элек­трическое поле, воздействующее на сопротивление канала. На концах канала находятся [...]

Полевые транзисторы

Понедельник, Август 18th, 2008

Полевыми транзисторами называют полупровод­никовые приборы, у которых для управления током используется за­висимость электрического сопротивления токопроводящего слоя от напряженности поперечного электрического поля.
Слой полупроводника, в котором регулируется поток носителей заряда, называется каналом. Электрическое поле, воздействующее на сопротивление канала, создается с помощью расположенного над каналом металлического электрода, называемого затвором.
 
Затвор должен быть электрически изолирован от канала. В зави­симости от [...]